销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 ChipOneStop | BSO615N G | Infineon | FET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A | 2500+:¥2.96 5000+:¥2.81 12500+:¥2.71 25000+:¥2.62 62500+:¥2.5410+:¥2.6701 50+:¥2.54 100+:¥2.47 |
 Digi-Key 得捷电子 | BSO615N G | Infineon | FET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A | 2500+:¥2.96 5000+:¥2.81 12500+:¥2.71 25000+:¥2.62 62500+:¥2.54 |
 Mouser 贸泽电子 | BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-8 | 1:¥7.2998 10:¥6.2263 100:¥4.7912 500:¥4.2375 2,500:¥2.9606 10,000:查看
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 RS(欧时) | BSO615N G | Infineon | FET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A | 2500+:¥2.96 5000+:¥2.81 12500+:¥2.71 25000+:¥2.62 62500+:¥2.5410+:¥2.6701 50+:¥2.54 100+:¥2.47125+:¥8.6901 500+:¥7.79 2500+:¥6.76 12500+:¥6.23 |
 立创商城 | BSO615N G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 | 1+:¥12.7 10+:¥9.46 30+:¥8.86 100+:¥8.27 500+:¥8 1000+:¥7.87
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