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BSO615N G /MOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-8
BSO615N G的规格信息
BSO615N G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:SIPMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:BSO615

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:2.4 S

下降时间:15 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:BSO615NGHUMA1 BSO615NGXT SP000216316

单位重量:506.600 mg

供应商BSO615N G
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深圳市威雅利发展有限公司BSO615N G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSO615N Gwww.nowchip.com0755-27381274
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BSO615N G连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO501.98 Kbytes共8页BSO615N G的PDF下载地址
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BSO615N GInfineonFET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A2500+:¥2.96
5000+:¥2.81
12500+:¥2.71
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BSO615N GInfineonFET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A2500+:¥2.96
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BSO615N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-81:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7912
500:¥4.2375
2,500:¥2.9606
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BSO615N GInfineonFET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A2500+:¥2.96
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50+:¥2.54
100+:¥2.47125+:¥8.6901
500+:¥7.79
2500+:¥6.76
12500+:¥6.23
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BSO615N GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥12.7
10+:¥9.46
30+:¥8.86
100+:¥8.27
500+:¥8
1000+:¥7.87